| 专利名称: | 一种高纯砷晶体的制备方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2019.12.27 |
| 专利号: | 201911382195X |
| 第一发明人: | 董持衡、成者、涂畅、马衍伟 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |
一种高纯砷晶体的制备方法
| 专利名称: | 一种高纯砷晶体的制备方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2019.12.27 |
| 专利号: | 201911382195X |
| 第一发明人: | 董持衡、成者、涂畅、马衍伟 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |