| 专利名称: | 一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2020.3.26 |
| 专利号: | 2020102233637 |
| 第一发明人: | 谢波玮、苏广辉、张建永、丁发柱、古宏伟、商红静、黄大兴、李太广、邹琪 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |
一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜
| 专利名称: | 一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2020.3.26 |
| 专利号: | 2020102233637 |
| 第一发明人: | 谢波玮、苏广辉、张建永、丁发柱、古宏伟、商红静、黄大兴、李太广、邹琪 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |