| 专利名称: | GaN HEMT器件过流保护电路 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2021/12/22 |
| 专利号: | 202111580276.8 |
| 第一发明人: | 曹国恩、王一波、由弘扬、王环 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |
GaN HEMT器件过流保护电路
| 专利名称: | GaN HEMT器件过流保护电路 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2021/12/22 |
| 专利号: | 202111580276.8 |
| 第一发明人: | 曹国恩、王一波、由弘扬、王环 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |